Код (при наличии профессионального стандарта)
|
Наименование трудовой функции (профессиональной задачи, обязанности)
|
Трудовые действия
|
Необходимые умения
|
Необходимые знания
|
Дополнительные сведения (при необходимости)
|
A/01.4
|
Проведение технологического процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин при изготовлении изделий микроэлектроники на неавтоматизированном оборудовании
|
Проверка готовности оборудования к проведению процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин в соответствии с требованиями нормативно-технической документации производства изделий микроэлектроники
|
Определять, выставлять и регулировать на оборудовании параметры технологического процесса нанесения слоя фоторезиста в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники
|
Требования нормативно-технической и технологической документации, требования технического задания на изготовление изделий микроэлектроники с применением процессов фотолитографии
|
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Подготовка поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники, к процессу нанесения слоя фоторезиста
|
Оценивать состояние поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, перед началом технологического процесса
|
Технологические карты проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Проведение процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники, проведение сушки нанесенного слоя фоторезиста
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Требования охраны труда при работе на оборудовании нанесения слоя фоторезиста при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Проведение визуального контроля качества сформированного слоя фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники
|
Проводить измерение толщины слоя фоторезиста (фоторезистивной маски) на поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Методы и режимы нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, и режимы нанесения вспомогательных слоев, применяемых при нанесении слоя фоторезиста на поверхность пластин
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении технологического процесса нанесения слоя фоторезиста на поверхность пластин
|
Проводить входной контроль качества применяемых в процессе фотолитографии химических материалов в соответствии с технологической документацией по изготовлению изделий микроэлектроники
|
Методы и режимы сушки фоторезистивного слоя на поверхности пластин, необходимых для производства изделий микроэлектроники
|
Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Принятие решения о дальнейшей обработке пластин в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники
|
Оформлять записи по качеству пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Виды и свойства химических материалов, используемых в процессе фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Сроки годности и условия хранения используемых в процессе фотолитографии материалов, необходимых при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих пластин
|
Оформлять записи по качеству пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Сроки годности и условия хранения используемых в процессе фотолитографии материалов, необходимых при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Методы оценки качества слоя фоторезиста на поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Требования охраны труда при работе на оборудовании нанесения слоя фоторезиста при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Основы системы менеджмента качества
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|
A/02.4
|
Совмещение и экспонирование фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники на неавтоматизированном оборудовании
|
Проверка готовности оборудования к проведению процесса совмещения и экспонирования фоторезистивной маски согласно регламенту изготовления изделий микроэлектроники
|
Определять тип фотошаблона для процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Назначение и типы фотошаблонов для проведения процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
|
Методы оценки качества фотошаблона, применяемого в процессе фотолитографии для формирования топологического слоя на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Правила хранения и перемещения фотошаблона, необходимого для изготовления изделий микроэлектроники с применением фотолитографии
|
Выбор фотошаблона для проведения процесса экспонирования при изготовлении изделий микроэлектроники в соответствии с конструкторской документацией на изделие
|
Определять тип фотошаблона для процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Методы оценки качества фотошаблона, применяемого в процессе фотолитографии для формирования топологического слоя на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Назначение защитной пленки (пелликла) и требования к ней
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Выбор режимов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники для обеспечения параметров фоторезистивной маски в соответствии с требованиями контрольной карты процесса фотолитографии (доза излучения, фокусное расстояние, величина смещения)
|
Проводить контроль повторяющихся дефектов фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Правила хранения и перемещения фотошаблона, необходимого для изготовления изделий микроэлектроники с применением фотолитографии
|
Проводить контроль точности совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Виды дефектов фоторезистивной маски, возникающих при выполнении процесса совмещения и экспонирования
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Определять режимы процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Проведение визуального контроля качества фотошаблона и отсъема на повторяющиеся дефекты при проведении процессов совмещения и экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Определять режимы процесса экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Назначение защитной пленки (пелликла) и требования к ней
|
Виды дефектов фоторезистивной маски, возникающих при выполнении процесса совмещения и экспонирования
|
Проводить контроль повторяющихся дефектов фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Параметры процессов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Проводить контроль точности совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Определять и классифицировать метки совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Принятие решения о дальнейшей обработке рабочих пластин в соответствии с требованиями технологической документации на изготовление изделий микроэлектроники
|
Осуществлять загрузку фотошаблонов в фотолитографическое оборудование при проведении процессов совмещения и экспонирования пластин при изготовлении изделий микроэлектроники, осуществлять выгрузку фотошаблонов по окончании процесса экспонирования
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Виды дефектов фоторезистивной маски, возникающих при выполнении процесса совмещения и экспонирования
|
Определять и классифицировать метки совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении операции совмещения и экспонирования фоторезистивной маски
|
Определять и классифицировать метки совмещения слоев формируемой структуры на пластине при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Виды дефектов фоторезистивной маски, возникающих при выполнении процесса совмещения и экспонирования
|
Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Параметры процессов экспонирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Работать на метрологическом оборудовании для проверки точности совмещения фотолитографических слоев на пластинах при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
Требования охраны труда при работе на участке фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
Нормативно-техническая и технологическая документация проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии с проектными нормами выше 0,6 мкм
|
Свойства химических материалов, используемых для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Основы системы менеджмента качества
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|
A/03.4
|
Проявление фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники на неавтоматизированном оборудовании
|
Проверка готовности оборудования к проведению процесса проявления фоторезистивной маски на поверхности пластин согласно регламенту изготовления изделий микроэлектроники
|
Определять, выставлять и регулировать параметры технологического процесса проявления слоя фоторезиста на оборудовании для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Межоперационное время хранения пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники
|
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Режимы проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин
|
Сроки годности и условия хранения проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Требования охраны труда при работе на оборудовании, используемом для проведения процессов проявления фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники
|
|
|
Выбор режима проявления фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Работать с вакуумными пинцетами
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии
|
|
Определять, выставлять и регулировать параметры технологического процесса проявления слоя фоторезиста на оборудовании для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Режимы проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин
|
Виды и свойства проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Сроки годности и условия хранения проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Проведение процесса проявления фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оценивать качество поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, до и после проведения процесса проявления в соответствии с требованиями технологической документации
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии
|
Режимы проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин
|
Виды и свойства проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Определять, выставлять и регулировать параметры технологического процесса проявления слоя фоторезиста на оборудовании для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Сроки годности и условия хранения проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
Проведение визуального контроля качества фоторезистивной маски на поверхности пластин согласно требованиям технологической карты изготовления изделий микроэлектроники
|
Проводить контроль качества проявления слоя фоторезиста на поверхности пластины
|
Свойства химических материалов, используемых для проведения процесса фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оценивать качество поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, до и после проведения процесса проявления в соответствии с требованиями технологической документации
|
Режимы проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин
|
Заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов при проведении процесса проявления слоя фоторезиста
|
Оценивать качество поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, до и после проведения процесса проявления в соответствии с требованиями технологической документации
|
Режимы проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин
|
Нормативно-техническая и технологическая документация, используемая при проведении процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Взаимодействие с сотрудниками отдела технологического сопровождения процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин
|
Оценивать качество поверхности пластин, используемых для производства изделий микроэлектроники, до и после проведения процесса проявления в соответствии с требованиями технологической документации
|
Виды и свойства проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Сроки годности и условия хранения проявителей, используемых при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Методы оценки качества проявления слоя фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники
|
Нормативно-техническая и технологическая документация, используемая при проведении процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Требования охраны труда при работе на оборудовании, используемом для проведения процессов проявления фоторезиста на поверхности пластин, необходимых для изготовления изделий микроэлектроники
|
Требования технологической и контрольной карты на процесс фотолитографии и порядок действий при выявлении отклонений параметров фоторезистивной маски
|
Основы системы менеджмента качества
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|
C/01.4
|
Контроль параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Проведение измерений параметров фоторезистивной маски с использованием микроскопа и контрольно-измерительных средств, предусмотренных технологической документацией по изготовлению изделий микроэлектроники
|
Проводить замеры толщины слоя фоторезиста на поверхности пластин, подготовленных для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Нормы контроля параметров технологических процессов фотолитографии изделий микроэлектроники (величина контролируемого линейного размера, точность совмещения слоев структуры, доза облучения, время проявления, толщина слоя фоторезиста, уровень дефектности)
|
|
Проводить замеры линейных размеров контролируемых элементов и величины рассовмещения слоев структуры на тестовых элементах топологического слоя
|
Нормативно-техническая и технологическая документация по работе на автоматизированном оборудовании при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Оценивать качество процесса нанесения, проявления и экспонирования слоя фоторезиста при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Внесение корректировок в программу обработки изделий микроэлектроники по результатам измерений параметров фоторезистивной маски
|
Проводить замеры толщины слоя фоторезиста на поверхности пластин, подготовленных для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Нормативно-техническая и технологическая документация по работе на автоматизированном оборудовании при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Корректировать параметры экспонирования и совмещения на основании полученных данных при измерении контрольных пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Требования технологической документации к контролируемым параметрам фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Определять оптимальные значения параметров процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Проводить замеры линейных размеров контролируемых элементов и величины рассовмещения слоев структуры на тестовых элементах топологического слоя
|
Определение продукции, не соответствующей требованиям контрольной карты на процесс фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Требования технологической документации к контролируемым параметрам фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оценивать качество процесса нанесения, проявления и экспонирования слоя фоторезиста при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Подбор и регулировка режимов процессов фотолитографии для получения необходимых параметров фоторезистивной маски в соответствии с требованиями технологической документации по изготовлению изделий микроэлектроники
|
Анализировать результаты измерений фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Параметры технологических процессов формирования фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Требования технологической документации к контролируемым параметрам фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оформление записей по результатам проведения процессов формирования фоторезистивной маски изделий микроэлектроники (заполнение сопроводительных листов и рабочих журналов)
|
Оценивать качество процесса нанесения, проявления и экспонирования слоя фоторезиста при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Параметры контроля фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Требования технологической документации к контролируемым параметрам фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оформлять результаты измерений параметров технологических процессов фотолитографии в соответствии с требованиями нормативно-технической и технологической документации на изготовление изделий микроэлектроники
|
Взаимодействие с сотрудниками отдела сопровождения технологических процессов изготовления изделий микроэлектроники и отдела по обслуживанию технологического оборудования для получения необходимой информации, касающейся обработки рабочих партий пластин
|
Определять оптимальные значения параметров процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Правила работы на автоматизированном технологическом оборудовании процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
|
Корректировать параметры экспонирования и совмещения на основании полученных данных при измерении контрольных пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Правила работы с оптическим и контрольно-измерительным оборудованием при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Межоперационное время хранения обрабатываемой продукции для изготовления изделий микроэлектроники
|
Идентифицировать обрабатываемую продукцию для изготовления изделий микроэлектроники (подпись продукции, перемещение продукции на место хранения в соответствии с идентификацией)
|
Свойства химических материалов, используемых для проведения процесса фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Оформлять результаты измерений параметров технологических процессов фотолитографии в соответствии с требованиями нормативно-технической и технологической документации на изготовление изделий микроэлектроники
|
Последовательность технологических операций при изготовлении изделий микроэлектроники с применением автоматизированных процессов прецизионной фотолитографии
|
Режимы выполнения технологических процессов прецизионной фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники на автоматизированном оборудовании
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
Виды дефектов при формировании фоторезистивной маски на поверхности пластин при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Режимы работы контрольно-измерительного оборудования при проведении процессов контроля параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Требования нормативно-технической и технологической документации процессов фотолитографии изделий микроэлектроники, в том числе требования технологических и контрольных карт, требования технического задания на изделие
|
Порядок действий при обнаружении отклонений параметров фоторезистивной маски от требований контрольной карты процесса фотолитографии
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии
|
Свойства поверхности пластины, используемой при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Виды дефектов, возникающих при формировании фоторезистивной маски на пластинах при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Основы работы на персональном компьютере
|
Английский язык (базовый курс)
|
Основы системы менеджмента качества
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|
C/02.4
|
Выполнение действий при выявлении технологических несоответствий, возникающих при проведении процессов фотолитографии при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Выявление видов несоответствия обрабатываемой продукции требованиям технологической карты при выполнении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники (дефектность, отклонения линейного размера, рассовмещение слоев, недопроявление)
|
Идентифицировать обрабатываемую продукцию как несоответствующую микроэлектронную продукцию
|
Требования нормативно-технической и технологической документации к контролируемым параметрам микроэлектронной продукции
|
|
Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Критерии несоответствия микроэлектронной продукции требованиям технологической документации
|
Виды дефектов при формировании фоторезистивной маски изделий микроэлектроники
|
Регистрация выявленного несоответствия обрабатываемой продукции изделий микроэлектроники в рабочих журналах
|
Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Виды дефектов при формировании фоторезистивной маски изделий микроэлектроники
|
Требования нормативно-технической и технологической документации к контролируемым параметрам микроэлектронной продукции
|
Вести записи по качеству изготовленной микроэлектронной продукции (заполнение рабочих журналов, сопроводительных листов, сигнальных талонов)
|
Определение причин несоответствия обрабатываемой продукции изделий микроэлектроники требованиям технологической карты
|
Работать с микроскопом и контрольно-измерительными средствами при проведении измерений параметров фоторезистивной маски при изготовлении изделий микроэлектроники
|
Критерии несоответствия микроэлектронной продукции требованиям технологической документации
|
Виды, причины и методы устранения несоответствий процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Осуществлять корректирующие действия, разработанные технологической службой, при отклонениях параметров процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Формирование алгоритма регулировки параметров процессов фотолитографии изделий микроэлектроники для устранения несоответствий обрабатываемой продукции
|
Устанавливать причинно-следственные связи возникновения микроэлектронной продукции, не соответствующей требованиям технологической документации
|
Порядок действий при выявлении несоответствующей микроэлектронной продукции
|
|
Критерии несоответствия микроэлектронной продукции требованиям технологической документации
|
Осуществлять сравнение полученных результатов замеров параметров фоторезистивной маски с требованиями нормативной технологической документации
|
Виды, причины и методы устранения несоответствий процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Регулировка параметров процессов фотолитографии изделий микроэлектроники в диапазонах, допустимых технологической документацией, для корректировки при выявлении технологических несоответствий обрабатываемой продукции
|
Вести записи по качеству изготовленной микроэлектронной продукции (заполнение рабочих журналов, сопроводительных листов, сигнальных талонов)
|
Порядок действий при выявлении несоответствующей микроэлектронной продукции
|
|
Осуществлять сравнение полученных результатов замеров параметров фоторезистивной маски с требованиями нормативной технологической документации
|
Оповещение начальника смены и инженера-технолога о выявленных несоответствиях обрабатываемой продукции изделий микроэлектроники для проведения регулирующих мероприятий и устранения причин несоответствий
|
Осуществлять сравнение полученных результатов замеров параметров фоторезистивной маски с требованиями нормативной технологической документации
|
Последовательность технологических операций при проведении процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Порядок действий при выявлении несоответствующей микроэлектронной продукции
|
Оказывать первую помощь пострадавшему на производстве
|
Причины и порядок проведения внеплановой аттестации оборудования для проведения процессов фотолитографии изделий микроэлектроники
|
Правила работы с оптическим и контрольно-измерительным оборудованием при оценке качества формирования фоторезистивной маски изделий микроэлектроники, изготовленных с применением процессов прецизионной фотолитографии на автоматизированном оборудовании
|
Физико-химические основы процесса фотолитографии
|
Правила электронно-вакуумной гигиены и правила работы в чистых помещениях
|
Основы работы на персональном компьютере
|
Английский язык (базовый курс)
|
Основы системы менеджмента качества
|
Порядок оказания первой помощи пострадавшему на производстве
|